Почему нитрид галлия лучше кремния?
Нитрид галлия — полупроводниковый материал, который имеет много преимуществ перед кремнием. Его можно использовать для изготовления транзисторов меньшего размера и, как следствие, микросхем меньшего размера. GaN может выдерживать более высокие уровни мощности и заряжаться быстрее, чем кремний. Это означает, что он идеально подходит для таких приложений, как радио 5G и аксессуары для быстрой зарядки. А поскольку он лучше проводит электричество, он может выдерживать большую мощность, не нагреваясь.
Зарядные устройства GaN могут заряжать устройства быстрее. Например, зарядное устройство Voltero C100 GaN мощностью 100 Вт может зарядить 16-дюймовый MacBook Pro с 0% до 100% всего за 2 часа! Зарядные устройства GaN также более эффективны, чем традиционные зарядные устройства. Это означает, что они тратят меньше энергии в виде тепла, поэтому им не нужны большие ребра охлаждения или радиаторы. Это делает их меньше и легче, что удобно, если вы всегда в пути.